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厂商型号

IPP80N08S2-07 

产品描述

MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A

内部编号

173-IPP80N08S2-07

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:484
1+¥15.5216
10+¥13.1968
100+¥10.5301
500+¥9.2309
1000+¥7.6582
2500+¥7.1112
5000+¥6.8377
10000+¥6.3317
最小起订量:1
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IPP80N08S2-07产品详细规格

规格书 IPP80N08S2-07 datasheet 规格书
IPx80N08S2-07
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 75V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 7.4 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 180nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4700pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube
P( TOT ) 300W
匹配代码 IPP80N08S2-07
安装 THT
R( THJC ) 0.5K/W
LogicLevel NO
包装 TO220-3
单位包 50
标准的提前期 18 weeks
最小起订量 500
Q(克) 180nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 AEC-Q(100)
我(D ) 80A
V( DS ) 75V
技术 OptiMOS
的RDS(on ) at10V 0.0071Ohm
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 80A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 75V
标准包装 500
供应商设备封装 PG-TO220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7.4 mOhm @ 80A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 4700pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 180nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 Through Hole
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 80 A
系列 IPP80N08
RDS(ON) 7.4 mOhms
功率耗散 300 W
最低工作温度 - 55 C
典型关闭延迟时间 61 ns
零件号别名 IPP80N08S207AKSA1 SP000219040
上升时间 50 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 75 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 30 ns

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